Categorías
- Módulo de memoria overlocking DDR4 con experiencia de alte velocidad: Con módulos de oveclocking de alta velocidad y alto rendimiento, lo jugadores pueden sentir la experiencia de aceleración de la hiperbanda.
- Diseño de enfriamiento eficiente: Equipando con un enfriador de aluminio puro que es de alta condutividad térmica, puede acelerar el enfriamiento del chip.
- La mejor opción con apariencia fresca: Apariencia personalizable, se puede configurar en negro, azul y rojo, que está en moda, de alta gama e inteligente.
El módulo de memoria HP V6 DDR4 está especialmente diseñando para estusiastas de la memoria de alto rendimiento, jugadores, y usuarios que buscan una mejor experiencia del sistema, ya que puede mejorar el rendimiento y la velocidad del sistema respuesta. Lo módulos DDR4 SDRAM se benefician del uso de DDR4 SDRAM de una arquitectura de capacitación pevia 8n con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Una sola operación de LECTURA o ESCRITURA para la DDR4 SDRAM consiste efectivamnete en una sola transferencia de datos.
- Módulo de memoria overlocking DDR4 con experiencia de alte velocidad: Con módulos de oveclocking de alta velocidad y alto rendimiento, lo jugadores pueden sentir la experiencia de aceleración de la hiperbanda.
- Diseño de enfriamiento eficiente: Equipando con un enfriador de aluminio puro que es de alta condutividad térmica, puede acelerar el enfriamiento del chip.
- La mejor opción con apariencia fresca: Apariencia personalizable, se puede configurar en negro, azul y rojo, que está en moda, de alta gama e inteligente.
El módulo de memoria HP V6 DDR4 está especialmente diseñando para estusiastas de la memoria de alto rendimiento, jugadores, y usuarios que buscan una mejor experiencia del sistema, ya que puede mejorar el rendimiento y la velocidad del sistema respuesta. Lo módulos DDR4 SDRAM se benefician del uso de DDR4 SDRAM de una arquitectura de capacitación pevia 8n con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Una sola operación de LECTURA o ESCRITURA para la DDR4 SDRAM consiste efectivamnete en una sola transferencia de datos.
